TSMC und Samsung setzen auf ASMLs High-NA-EUV-Chipfertigungstechnologie
Die weltweit führenden Halbleiterhersteller TSMC und Samsung setzen künftig auf die High-NA-EUV-Lithografiesysteme (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) von ASML, angetrieben durch die stark steigende Nachfrage nach KI-Anwendungen. Samsung plant den Einsatz der jeweils rund 400 Millionen US-Dollar teuren Anlagen ab 2028 für die DRAM-Speicherproduktion, während TSMC die Technologie um 2030 für moderne High-End-Chips integrieren will. Die Zusagen schaffen essenzielle Planungssicherheit für das langfristige Wachstum von ASML, nachdem Intel die Technologie bereits nutzt. Um der steigenden Nachfrage zu begegnen, will ASML seine EUV-Kapazitäten bis 2027 um etwa 30 Prozent erhöhen. Zudem beteiligen sich TSMC und Samsung an einer Brancheninitiative für 12-Zoll-Photomasken der nächsten Generation, um Produktivität zu steigern und Fertigungskosten zu senken.
- •Samsung plant den Einsatz von ASMLs High-NA-EUV-Maschinen ab 2028 für die DRAM-Fertigung.
- •TSMC wird die High-NA-EUV-Technologie voraussichtlich um 2030 für High-End-Chips einführen.
- •Die High-NA-EUV-Systeme von ASML kosten rund 400 Millionen US-Dollar pro Einheit.